Produkte

BESCHREIBUNG

Basisinformation

Modell Nr.	FW-KRISTALL
Herstellungstechnologie	Optoelektronischer Halbleiter
Material	Verbundhalbleiter
Typ	Halbleiter vom N-Typ
Paket	SMD
Anwendung	Fernsehen
Marke	Finewin
Materialien	Galliumnitrid
Dicke	3-4 um oder 20 um
Größe	2 Zoll oder 4 Zoll
Transportpaket	Kasten
Spezifikation	2 ZOLL
Warenzeichen	FineWin
Herkunft	Jiaozuo-Stadt, Provinz Henan
Produktionskapazität	1000 Stück/Monat

Produktbeschreibung

GaN-Template-Wafer
1. Was sind Vorlagen?
Wir verwenden den Begriff „Vorlage“, um unsere Produkte zu beschreiben, da sie sich von Substraten unterscheiden. Konkret handelt es sich bei einer Vorlage um ein zusammengesetztes oder konstruiertes Substrat, bei dem eine oder mehrere Schichten zum ursprünglichen Substrat hinzugefügt werden.

2.Anwendung

Blaue und weiße LED für Raumbeleuchtung, Displays und allgemeine Verwendung

GaN-Leistungsschaltgeräte

3.Produkt verfügbar

2" bis 4" GaN-Templates auf FSS und PSS
Dicke GaN-Vorlagen (t=3~20μm)
GaN-Template mit hochdotierter n-Typ-Schicht (n=<1e19/cm).³)
Es stehen Vorlagen vom Typ N (undotiert), vom Typ N (Si-dotiert) und vom Typ P (Mg-dotiert) zur Verfügung
GaN-Templates sowohl auf Saphirsubstraten als auch auf Siliziumsubstraten

4. Funktionen

XRD-FWHM	002	102
3–4 µm GaN/Saphir	200-300	250-450

Versetzungsdichte: 3,5E+08 cm-2

 

5. Spezifikation
2-Zoll-Spezifikation

Artikel	GaN-FS-CU-C50	GaN-FS-CN-C50	GaN-FS-C-SI-C50
Maße	Ф 50,8 mm ± 1 mm
Dicke	350 ± 25 µm
Nutzfläche	> 90 %
Orientierung	C-Ebene (0001) Abweichungswinkel zur M-Achse 0,35° ± 0,15°
Orientierungsebene	(1-100) ± 0,5°, 16,0 ± 1,0 mm
Sekundäre Orientierungswohnung	(11-20) ± 3°, 8,0 ± 1,0 mm
Gesamtdickenvariation	≤ 15 µm
BOGEN	≤ 20 µm
Leitungstyp	N-Typ (Undotiert)	N-Typ (Ge-dotiert)	Halbisolierend (Fe-dotiert)
Widerstand (300 K)	< 0,5 Ω·cm	< 0,05 Ω·cm	>106 Ω·cm
Versetzungsdichte	1~9x105 cm-2	5x105 cm-2 ~3x106 cm-2	1~9x105 cm-2
	1~3x106 cm-2		1~3x106 cm-2
Polieren	Vorderfläche: Ra < 0,2 nm. Epi-ready poliert Rückseite: Feingeschliffen
Paket	Verpackt in einer Reinraumumgebung der Klasse 100, in Einzelwaferbehältern, unter einer Stickstoffatmosphäre.

4-Zoll-Spezifikation

Artikel	GaN-TCU-C100	GaN-TCN-C100
Maße	Ф 100 mm ± 0,1 mm
Dicke	4 m, 20 m
Orientierung	C-Ebene (0001) ± 0,5°
Leitungstyp	N-Typ (Undotiert)	N-Typ (Si-dotiert)
Widerstand 300K	< 0,5 Ω·cm	< 0,05 Ω·cm
Trägerkonzentration	< 5x1017 cm-3	> 1x1018 cm-3
Mobilität	~ 300cm2/V·s	~ 200 cm2/V·s
Versetzungsdichte	Weniger als 5x108 cm-2
Substratstruktur	GaN auf Saphir (Standard: SSP Option: DSP)
Nutzfläche	> 90 %
Paket	Verpackt in einer Reinraumumgebung der Klasse 100, in Kassetten zu 25 Stück oder Einzelwaferbehältern, unter einer Stickstoffatmosphäre.

6. Produktbilder